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栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SIR464DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 5.2W (Ta), 69W (Tc) N-Channel - 30V 50A (Tc) 3.1 mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 95nC @ 10V 3545pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 5.2W (Ta), 69W (Tc) N-Channel - 30V 50A (Tc) 3.1 mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 95nC @ 10V 3545pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 5.2W (Ta), 69W (Tc) N-Channel - 30V 50A (Tc) 3.1 mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 95nC @ 10V 3545pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 TrenchFET® Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 5.2W (Ta), 69W (Tc) N-Channel - 30V 50A (Tc) 3.1 mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 125nC @ 10V 5370pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SI7788DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 TrenchFET® Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 5.2W (Ta), 69W (Tc) N-Channel - 30V 50A (Tc) 3.1 mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 125nC @ 10V 5370pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SI7788DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 5.2W (Ta), 69W (Tc) N-Channel - 30V 50A (Tc) 3.1 mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 125nC @ 10V 5370pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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