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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NTMFS4847NAT1G
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN, 5 Leads 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 880mW (Ta), 48.4W (Tc) N-Channel - 30V 11.5A (Ta), 85A (Tc) 4.1 mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 28nC @ 4.5V 2614pF @ 12V 4.5V, 11.5V ±16V
NTMFS4847NT3G
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN, 5 Leads 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 880mW (Ta), 48.4W (Tc) N-Channel - 30V 11.5A (Ta), 85A (Tc) 4.1 mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 28nC @ 4.5V 2614pF @ 12V 4.5V, 11.5V ±16V
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN, 5 Leads 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 880mW (Ta), 48.4W (Tc) N-Channel - 30V 11.5A (Ta), 85A (Tc) 4.1 mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 28nC @ 4.5V 2614pF @ 12V 4.5V, 11.5V ±16V
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN, 5 Leads 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 880mW (Ta), 48.4W (Tc) N-Channel - 30V 11.5A (Ta), 85A (Tc) 4.1 mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 28nC @ 4.5V 2614pF @ 12V 4.5V, 11.5V ±16V
SQM50N04-4M1_GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 50A TO-263 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (D²Pak) 150W (Tc) N-Channel - 40V 50A (Tc) 4.1 mOhm @ 30A, 10V 3.5V @ 250µA 105nC @ 10V 6715pF @ 25V 10V ±20V
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