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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPB039N10N3GE8187ATMA1
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$1.57
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RFQ
1,892
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB PG-TO263-7 214W (Tc) N-Channel - 100V 160A (Tc) 3.9 mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 160µA 117nC @ 10V 8410pF @ 50V 6V, 10V ±20V
IPI120N10S403AKSA1
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1,465
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Infineon Technologies MOSFET N-CH TO262-3 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA PG-TO263-3-1 250W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 3.9 mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 180µA 140nC @ 10V 10120pF @ 25V 10V ±20V
IPP120N10S403AKSA1
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$2.29
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RFQ
2,987
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Infineon Technologies MOSFET N-CH TO220-3 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 PG-TO220-3-1 250W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 3.9 mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 180µA 140nC @ 10V 10120pF @ 25V 10V ±20V
IPB039N10N3GATMA1
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681
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB PG-TO263-7 214W (Tc) N-Channel - 100V 160A (Tc) 3.9 mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 160µA 117nC @ 10V 8410pF @ 50V 6V, 10V ±20V
IPB039N10N3GATMA1
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RFQ
1,501
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB PG-TO263-7 214W (Tc) N-Channel - 100V 160A (Tc) 3.9 mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 160µA 117nC @ 10V 8410pF @ 50V 6V, 10V ±20V
IPB039N10N3GATMA1
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$1.35
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RFQ
3,250
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB PG-TO263-7 214W (Tc) N-Channel - 100V 160A (Tc) 3.9 mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 160µA 117nC @ 10V 8410pF @ 50V 6V, 10V ±20V
FDP039N08B-F102
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RFQ
2,070
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ON Semiconductor MOSFET N CH 80V 120A TO-220 PowerTrench® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220-3 214W (Tc) N-Channel - 80V 120A (Tc) 3.9 mOhm @ 100A, 10V 4.5V @ 250µA 133nC @ 10V 9450pF @ 40V 10V ±20V
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