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功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPB80N06S4L07ATMA1
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613
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 OptiMOS™ Discontinued at Digi-Key Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 79W (Tc) N-Channel - 60V 80A (Tc) 6.4 mOhm @ 80A, 10V 2.2V @ 40µA 75nC @ 10V 5680pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
IPB80P04P4L06ATMA1
单位
$0.72
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RFQ
1,882
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Infineon Technologies MOSFET P-CH TO263-3 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 88W (Tc) P-Channel - 40V 80A (Tc) 6.4 mOhm @ 80A, 10V 2.2V @ 150µA 104nC @ 10V 6580pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
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