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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPD26N06S2L35ATMA1
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RFQ
1,189
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 OptiMOS™ Discontinued at Digi-Key Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 68W (Tc) N-Channel - 55V 30A (Tc) 35 mOhm @ 13A, 10V 2V @ 26µA 24nC @ 10V 621pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
SPD26N06S2L-35
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3,240
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A DPAK OptiMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 P-TO252-3 68W (Tc) N-Channel - 55V 30A (Tc) 35 mOhm @ 13A, 10V 2V @ 26µA 24nC @ 10V 790pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
NDB5060L
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3,715
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -65°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 68W (Tc) N-Channel - 60V 26A (Tc) 35 mOhm @ 13A, 10V 2V @ 250µA 24nC @ 5V 840pF @ 30V 5V, 10V ±16V
NDB5060L
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$1.68
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RFQ
2,955
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -65°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 68W (Tc) N-Channel - 60V 26A (Tc) 35 mOhm @ 13A, 10V 2V @ 250µA 24nC @ 5V 840pF @ 30V 5V, 10V ±16V
NDB5060L
单位
$0.77
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RFQ
1,448
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -65°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 68W (Tc) N-Channel - 60V 26A (Tc) 35 mOhm @ 13A, 10V 2V @ 250µA 24nC @ 5V 840pF @ 30V 5V, 10V ±16V
IPD26N06S2L35ATMA2
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RFQ
2,873
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3-11 68W (Tc) N-Channel - 55V 30A (Tc) 35 mOhm @ 13A, 10V 2V @ 26µA 24nC @ 10V 621pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
IPD26N06S2L35ATMA2
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$0.76
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RFQ
2,400
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3-11 68W (Tc) N-Channel - 55V 30A (Tc) 35 mOhm @ 13A, 10V 2V @ 26µA 24nC @ 10V 621pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
IPD26N06S2L35ATMA2
单位
$0.26
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RFQ
1,429
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3-11 68W (Tc) N-Channel - 55V 30A (Tc) 35 mOhm @ 13A, 10V 2V @ 26µA 24nC @ 10V 621pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
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