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供应商设备包 :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
BUK7L11-34ARC,127
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RFQ
3,027
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NXP USA Inc. MOSFET N-CH 34V 75A TO220AB TrenchMOS™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 172W (Tc) N-Channel 34V 75A (Tc) 11 mOhm @ 30A, 10V 3.8V @ 1mA 53nC @ 10V 2506pF @ 25V 10V ±20V
NTD4970NT4G
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RFQ
1,891
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 38A DPAK - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 1.38W (Ta), 24.6W (Tc) N-Channel 30V 8.5A (Ta), 36A (Tc) 11 mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 8.2nC @ 4.5V 774pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
NTD4970N-35G
单位
$0.95
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RFQ
1,251
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 38A IPAK - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Stub Leads, IPak I-PAK 1.38W (Ta), 24.6W (Tc) N-Channel 30V 8.5A (Ta), 36A (Tc) 11 mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 8.2nC @ 4.5V 774pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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