- 系列 :
- 零件状态 :
- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,027
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 34V 75A TO220AB | TrenchMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 172W (Tc) | N-Channel | 34V | 75A (Tc) | 11 mOhm @ 30A, 10V | 3.8V @ 1mA | 53nC @ 10V | 2506pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,891
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 38A DPAK | - | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 1.38W (Ta), 24.6W (Tc) | N-Channel | 30V | 8.5A (Ta), 36A (Tc) | 11 mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 8.2nC @ 4.5V | 774pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,251
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 38A IPAK | - | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Stub Leads, IPak | I-PAK | 1.38W (Ta), 24.6W (Tc) | N-Channel | 30V | 8.5A (Ta), 36A (Tc) | 11 mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 8.2nC @ 4.5V | 774pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V |