- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,182
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 17.5A 8HVSON | TrenchMOS™ | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-VDFN Exposed Pad | 8-HVSON (6x5) | 62.5W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 17.5A (Tc) | 85 mOhm @ 15A, 10V | 4V @ 1mA | 40nC @ 10V | 2170pF @ 30V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,962
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SOIC | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 19.3A (Tc) | 85 mOhm @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 51nC @ 10V | 2060pF @ 15V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,289
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SOIC | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 19.3A (Tc) | 85 mOhm @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 51nC @ 10V | 2060pF @ 15V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,259
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SOIC | TrenchFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 19.3A (Tc) | 85 mOhm @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 51nC @ 10V | 2060pF @ 15V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1