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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
FQT4N20LTF
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RFQ
1,896
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223 QFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223-4 2.2W (Tc) N-Channel - 200V 850mA (Tc) 1.35 Ohm @ 425mA, 10V 2V @ 250µA 5.2nC @ 5V 310pF @ 25V 5V, 10V ±20V
FQT4N20LTF
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RFQ
3,165
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223 QFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223-4 2.2W (Tc) N-Channel - 200V 850mA (Tc) 1.35 Ohm @ 425mA, 10V 2V @ 250µA 5.2nC @ 5V 310pF @ 25V 5V, 10V ±20V
FQT4N20LTF
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$0.26
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RFQ
3,717
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223 QFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223-4 2.2W (Tc) N-Channel - 200V 850mA (Tc) 1.35 Ohm @ 425mA, 10V 2V @ 250µA 5.2nC @ 5V 310pF @ 25V 5V, 10V ±20V
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