- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
3 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
1,746
有现货
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS | - | Obsolete | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220SIS | 50W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 13A (Ta) | 500 mOhm @ 6.5A, 10V | 4V @ 1mA | 62nC @ 10V | 3100pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
|
|
获得报价 |
3,072
有现货
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 13A I2SPAK | SuperMESH™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK | 190W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 13A (Tc) | 500 mOhm @ 6.5A, 10V | 4.5V @ 100µA | 89nC @ 10V | 2750pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
|
|
获得报价 |
1,199
有现货
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 13A TO-220 | SuperMESH™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 190W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 13A (Tc) | 500 mOhm @ 6.5A, 10V | 4.5V @ 100µA | 89nC @ 10V | 2750pF @ 25V | 10V | ±30V |
粤ICP备2022113175号-1