- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,708
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2A TP | - | Obsolete | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TP | 1W (Ta), 20W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 2A (Ta) | 4.9 Ohm @ 1A, 10V | - | 8.7nC @ 10V | 175pF @ 30V | 4V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
738
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2A TP-FA | - | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TP-FA | 1W (Ta), 20W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 2A (Ta) | 4.9 Ohm @ 1A, 10V | - | 8.7nC @ 10V | 175pF @ 30V | 4V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,877
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2A PWRFLAT56 | SuperMESH5™ | Discontinued at Digi-Key | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerFlat™ (5x6) | 33W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 2A (Tc) | 4.9 Ohm @ 1A, 10V | 5V @ 100µA | 3nC @ 10V | 95pF @ 100V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
658
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2A PWRFLAT56 | SuperMESH5™ | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerFlat™ (5x6) | 33W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 2A (Tc) | 4.9 Ohm @ 1A, 10V | 5V @ 100µA | 3nC @ 10V | 95pF @ 100V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,153
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT | SuperMESH5™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerFlat™ (5x6) | 33W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 2A (Tc) | 4.9 Ohm @ 1A, 10V | 5V @ 100µA | 3nC @ 10V | 95pF @ 100V | 10V | ±30V |
粤ICP备2022113175号-1