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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	FDP150N10A		获得报价	PDF RFQ	2,673 有现货	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3	PowerTrench®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220-3	91W (Tc)	N-Channel	-	100V	50A (Tc)	15 mOhm @ 50A, 10V	4V @ 250µA	21nC @ 10V	1440pF @ 50V	10V	±20V
	FDP150N10A-F102	单位 $2.16	获得报价	PDF RFQ	2,887 有现货	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3	PowerTrench®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220-3	91W (Tc)	N-Channel	-	100V	50A (Tc)	15 mOhm @ 50A, 10V	4V @ 250µA	21nC @ 10V	1440pF @ 50V	10V	±20V
	IPD50N10S3L16ATMA1		获得报价	PDF RFQ	2,792 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3	OptiMOS™	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	PG-TO252-3	100W (Tc)	N-Channel	-	100V	50A (Tc)	15 mOhm @ 50A, 10V	2.4V @ 60µA	64nC @ 10V	4180pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	IPD50N10S3L16ATMA1	单位 $1.44	获得报价	PDF RFQ	1,969 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3	OptiMOS™	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	PG-TO252-3	100W (Tc)	N-Channel	-	100V	50A (Tc)	15 mOhm @ 50A, 10V	2.4V @ 60µA	64nC @ 10V	4180pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	IPD50N10S3L16ATMA1	单位 $0.55	获得报价	PDF RFQ	2,184 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3	OptiMOS™	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	PG-TO252-3	100W (Tc)	N-Channel	-	100V	50A (Tc)	15 mOhm @ 50A, 10V	2.4V @ 60µA	64nC @ 10V	4180pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V

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