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功耗(最大) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 6.4A UDFN - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN (2x2) 700mW (Ta) P-Channel - 20V 4A (Ta) 29 mOhm @ 6.4A, 4.5V 1V @ 250µA 29nC @ 4.5V 2600pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 6.4A UDFN - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN (2x2) 700mW (Ta) P-Channel - 20V 4A (Ta) 29 mOhm @ 6.4A, 4.5V 1V @ 250µA 29nC @ 4.5V 2600pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 8.1A UDFN2020-6 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad U-DFN2020-6 (Type F) 2.03W (Ta) P-Channel - 20V 8.1A (Ta) 29 mOhm @ 6.4A, 4.5V 1V @ 250µA 20.5nC @ 4.5V 1808pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN µCool™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN (2x2) 700mW (Ta) P-Channel - 20V 4A (Ta) 29 mOhm @ 6.4A, 4.5V 1V @ 250µA 29nC @ 4.5V 2600pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN µCool™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN (2x2) 700mW (Ta) P-Channel - 20V 4A (Ta) 29 mOhm @ 6.4A, 4.5V 1V @ 250µA 29nC @ 4.5V 2600pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN µCool™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN (2x2) 700mW (Ta) P-Channel - 20V 4A (Ta) 29 mOhm @ 6.4A, 4.5V 1V @ 250µA 29nC @ 4.5V 2600pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 8.1A UDFN2020-6 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad U-DFN2020-6 (Type F) 2.03W (Ta) P-Channel - 20V 8.1A (Ta) 29 mOhm @ 6.4A, 4.5V 1V @ 250µA 20.5nC @ 4.5V 1808pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 8.1A UDFN2020-6 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad U-DFN2020-6 (Type F) 2.03W (Ta) P-Channel - 20V 8.1A (Ta) 29 mOhm @ 6.4A, 4.5V 1V @ 250µA 20.5nC @ 4.5V 1808pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 8.1A UDFN2020-6 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad U-DFN2020-6 (Type F) 2.03W (Ta) P-Channel - 20V 8.1A (Ta) 29 mOhm @ 6.4A, 4.5V 1V @ 250µA 20.5nC @ 4.5V 1808pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN µCool™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN (2x2) 700mW (Ta) P-Channel - 20V 4A (Ta) 29 mOhm @ 6.4A, 4.5V 1V @ 250µA 29nC @ 4.5V 2600pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN µCool™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN (2x2) 700mW (Ta) P-Channel - 20V 4A (Ta) 29 mOhm @ 6.4A, 4.5V 1V @ 250µA 29nC @ 4.5V 2600pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
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