- 零件状态 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,205
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP | - | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-SMD, No Lead | 4-AlphaDFN (1.57x1.57) | 550mW (Ta) | P-Channel | - | 20V | 3.5A (Ta) | 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1V @ 250µA | 28nC @ 4.5V | 1685pF @ 10V | 1.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
3,310
有现货
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA | NexFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-UFBGA, DSBGA | 6-DSBGA (1x1.5) | 1W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 3.2A (Ta) | 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1.1V @ 250µA | 4.1nC @ 4.5V | 570pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | -6V | ||
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获得报价 |
3,442
有现货
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA | NexFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-UFBGA, DSBGA | 6-DSBGA (1x1.5) | 1W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 3.2A (Ta) | 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1.1V @ 250µA | 4.1nC @ 4.5V | 570pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | -6V | ||
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获得报价 |
2,143
有现货
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA | NexFET™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-UFBGA, DSBGA | 6-DSBGA (1x1.5) | 1W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 3.2A (Ta) | 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1.1V @ 250µA | 4.1nC @ 4.5V | 570pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | -6V |
粤ICP备2022113175号-1