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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI3473DDV-T1-GE3
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RFQ
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Vishay Siliconix MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP TrenchFET® Gen III Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 6-TSOP 3.6W (Tc) P-Channel - 12V 8A (Tc) 17.8 mOhm @ 8.7A, 4.5V 1V @ 250µA 57nC @ 8V 1975pF @ 6V 1.8V, 4.5V ±8V
SI3473DDV-T1-GE3
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RFQ
3,972
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Vishay Siliconix MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP TrenchFET® Gen III Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 6-TSOP 3.6W (Tc) P-Channel - 12V 8A (Tc) 17.8 mOhm @ 8.7A, 4.5V 1V @ 250µA 57nC @ 8V 1975pF @ 6V 1.8V, 4.5V ±8V
SI3473DDV-T1-GE3
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RFQ
633
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Vishay Siliconix MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP TrenchFET® Gen III Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 6-TSOP 3.6W (Tc) P-Channel - 12V 8A (Tc) 17.8 mOhm @ 8.7A, 4.5V 1V @ 250µA 57nC @ 8V 1975pF @ 6V 1.8V, 4.5V ±8V
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