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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	SIHA2N80E-GE3		获得报价	PDF RFQ	2,990 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA	E	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	TO-220 Full Pack	29W (Tc)	N-Channel	-	800V	2.8A (Tc)	2.75 Ohm @ 1A, 10V	4V @ 250µA	19.6nC @ 10V	315pF @ 100V	10V	±30V
	SIHA2N80E-GE3	单位 $1.71	获得报价	PDF RFQ	2,822 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA	E	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	TO-220 Full Pack	29W (Tc)	N-Channel	-	800V	2.8A (Tc)	2.75 Ohm @ 1A, 10V	4V @ 250µA	19.6nC @ 10V	315pF @ 100V	10V	±30V
	SIHA2N80E-GE3	单位 $0.77	获得报价	PDF RFQ	2,380 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA	E	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	TO-220 Full Pack	29W (Tc)	N-Channel	-	800V	2.8A (Tc)	2.75 Ohm @ 1A, 10V	4V @ 250µA	19.6nC @ 10V	315pF @ 100V	10V	±30V
	SIHD2N80E-GE3		获得报价	PDF RFQ	2,971 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK	E	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	D-PAK (TO-252AA)	62.5W (Tc)	N-Channel	-	800V	2.8A (Tc)	2.75 Ohm @ 1A, 10V	4V @ 250µA	19.6nC @ 10V	315pF @ 100V	10V	±30V
	SIHD2N80E-GE3	单位 $1.53	获得报价	PDF RFQ	2,108 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK	E	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	D-PAK (TO-252AA)	62.5W (Tc)	N-Channel	-	800V	2.8A (Tc)	2.75 Ohm @ 1A, 10V	4V @ 250µA	19.6nC @ 10V	315pF @ 100V	10V	±30V
	SIHD2N80E-GE3	单位 $0.59	获得报价	PDF RFQ	2,342 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK	E	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	D-PAK (TO-252AA)	62.5W (Tc)	N-Channel	-	800V	2.8A (Tc)	2.75 Ohm @ 1A, 10V	4V @ 250µA	19.6nC @ 10V	315pF @ 100V	10V	±30V
	SIHU2N80E-GE3	单位 $1.64	获得报价	PDF RFQ	2,510 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK	E	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB	IPAK (TO-251)	62.5W (Tc)	N-Channel	-	800V	2.8A (Tc)	2.75 Ohm @ 1A, 10V	4V @ 250µA	19.6nC @ 10V	315pF @ 100V	10V	±30V

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