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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI7111EDN-T1-GE3
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RFQ
778
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212 TrenchFET® Gen III Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 52W (Tc) P-Channel - 30V 60A (Tc) 8.55 mOhm @ 15A, 4.5V 1.6V @ 250µA 46nC @ 2.5V 5860pF @ 15V 2.5V, 4.5V ±12V
SI7111EDN-T1-GE3
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RFQ
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212 TrenchFET® Gen III Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 52W (Tc) P-Channel - 30V 60A (Tc) 8.55 mOhm @ 15A, 4.5V 1.6V @ 250µA 46nC @ 2.5V 5860pF @ 15V 2.5V, 4.5V ±12V
SI7111EDN-T1-GE3
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$0.24
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RFQ
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212 TrenchFET® Gen III Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 52W (Tc) P-Channel - 30V 60A (Tc) 8.55 mOhm @ 15A, 4.5V 1.6V @ 250µA 46nC @ 2.5V 5860pF @ 15V 2.5V, 4.5V ±12V
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