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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
TSM033NB04LCR RLG
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerLDFN 8-PDFN (5x6) 3.1W (Ta), 107W (Tc) N-Channel 40V 21A (Ta), 121A (Tc) 3.3 mOhm @ 21A, 10V 2.5V @ 250µA 79nC @ 10V 4456pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerLDFN 8-PDFN (5x6) 3.1W (Ta), 107W (Tc) N-Channel 40V 21A (Ta), 121A (Tc) 3.3 mOhm @ 21A, 10V 2.5V @ 250µA 79nC @ 10V 4456pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerLDFN 8-PDFN (5x6) 3.1W (Ta), 107W (Tc) N-Channel 40V 21A (Ta), 121A (Tc) 3.3 mOhm @ 21A, 10V 2.5V @ 250µA 79nC @ 10V 4456pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerLDFN 8-PDFN (5x6) 3.1W (Ta), 107W (Tc) N-Channel 40V 21A (Ta), 121A (Tc) 3.3 mOhm @ 21A, 10V 4V @ 250µA 77nC @ 10V 5022pF @ 20V 10V ±20V
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerLDFN 8-PDFN (5x6) 3.1W (Ta), 107W (Tc) N-Channel 40V 21A (Ta), 121A (Tc) 3.3 mOhm @ 21A, 10V 4V @ 250µA 77nC @ 10V 5022pF @ 20V 10V ±20V
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerLDFN 8-PDFN (5x6) 3.1W (Ta), 107W (Tc) N-Channel 40V 21A (Ta), 121A (Tc) 3.3 mOhm @ 21A, 10V 4V @ 250µA 77nC @ 10V 5022pF @ 20V 10V ±20V
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PDFN (5x6) 96W (Tc) N-Channel 30V 129A (Tc) 3.3 mOhm @ 21A, 10V 2.5V @ 250µA 31nC @ 10V 1850pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PDFN (5x6) 96W (Tc) N-Channel 30V 129A (Tc) 3.3 mOhm @ 21A, 10V 2.5V @ 250µA 31nC @ 10V 1850pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PDFN (5x6) 96W (Tc) N-Channel 30V 129A (Tc) 3.3 mOhm @ 21A, 10V 2.5V @ 250µA 31nC @ 10V 1850pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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