- 功耗（最大） :
- FET特性 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,601
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 | - | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227 | 290W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 40A (Tc) | 70 mOhm @ 20A, 10V | 3.9V @ 1mA | 259nC @ 10V | 7015pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,403
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 | - | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227 | 290W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 40A (Tc) | 70 mOhm @ 20A, 10V | 3.9V @ 1mA | 259nC @ 10V | 7015pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,211
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 | HiPerFET™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | i4-Pac™-5 | ISOPLUS i4-PAC™ | - | N-Channel | Super Junction | 600V | 38A (Tc) | 70 mOhm @ 20A, 10V | 3.9V @ 2.7mA | 250nC @ 10V | - | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
663
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 39A TO-247 | MDmesh™ II | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 | 330W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 44A (Tc) | 70 mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 124nC @ 10V | 4285pF @ 50V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
2,204
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 40A TO-3P | QFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3PN | 280W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 40A (Tc) | 70 mOhm @ 20A, 10V | 5V @ 250µA | 110nC @ 10V | 4000pF @ 25V | 10V | ±30V |
粤ICP备2022113175号-1