1 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
1,592
有现货
|
Texas Instruments | MOSFET N-CH 80V 100A TO220 | NexFET™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | 217W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 100A (Ta) | 6.6 mOhm @ 60A, 10V | 3.2V @ 250µA | 50nC @ 10V | 3980pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1