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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRFD9210
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RFQ
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 1W (Ta) P-Channel 200V 400mA (Ta) 3 Ohm @ 240mA, 10V 4V @ 250µA 8.9nC @ 10V 170pF @ 25V 10V ±20V
IRFD9210PBF
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RFQ
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 1W (Ta) P-Channel 200V 400mA (Ta) 3 Ohm @ 240mA, 10V 4V @ 250µA 8.9nC @ 10V 170pF @ 25V 10V ±20V
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