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供应商设备包 :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
R6035KNZ1C9
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$5.44
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RFQ
856
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Rohm Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 379W (Tc) N-Channel 600V 35A (Tc) 102 mOhm @ 18.1A, 10V 5V @ 1mA 72nC @ 10V 3000pF @ 25V 10V ±20V
R6035KNZC8
单位
$11.38
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RFQ
1,463
有现货
Rohm Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3 Full Pack TO-3PF 102W (Tc) N-Channel 600V 35A (Tc) 102 mOhm @ 18.1A, 10V 5V @ 1mA 72nC @ 10V 3000pF @ 25V 10V ±20V
R6035ENZC8
单位
$5.82
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RFQ
3,082
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Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3 Full Pack TO-3PF 120W (Tc) N-Channel 600V 35A (Tc) 102 mOhm @ 18.1A, 10V 4V @ 1mA 110nC @ 10V 2720pF @ 25V 10V ±20V
R6035ENZ1C9
单位
$5.82
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RFQ
1,327
有现货
Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 35A TO247 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 120W (Tc) N-Channel 600V 35A (Tc) 102 mOhm @ 18.1A, 10V 4V @ 1mA 110nC @ 10V 2720pF @ 25V 10V ±20V
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