- 系列 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,775
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH | HiPerFET™ | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227B | 1170W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 170A (Tc) | 13 mOhm @ 85A, 10V | 5V @ 8mA | 434nC @ 10V | 27000pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
2,167
有现货
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IXYS | MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247 | PolarP™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | ISOPLUS247™ | ISOPLUS247™ | 312W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 108A (Tc) | 13 mOhm @ 85A, 10V | 4V @ 1mA | 240nC @ 10V | 12600pF @ 25V | 10V | ±20V |