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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
FQPF8N90C
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$2.13
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RFQ
2,587
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220F QFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F 60W (Tc) N-Channel - 900V 6.3A (Tc) 1.9 Ohm @ 3.15A, 10V 5V @ 250µA 45nC @ 10V 2080pF @ 25V 10V ±30V
FQB8N90CTM
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RFQ
2,203
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK QFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 171W (Tc) N-Channel - 900V 6.3A (Tc) 1.9 Ohm @ 3.15A, 10V 5V @ 250µA 45nC @ 10V 2080pF @ 25V 10V ±30V
FQB8N90CTM
单位
$2.97
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RFQ
1,762
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK QFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 171W (Tc) N-Channel - 900V 6.3A (Tc) 1.9 Ohm @ 3.15A, 10V 5V @ 250µA 45nC @ 10V 2080pF @ 25V 10V ±30V
FQB8N90CTM
单位
$1.47
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RFQ
1,051
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK QFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 171W (Tc) N-Channel - 900V 6.3A (Tc) 1.9 Ohm @ 3.15A, 10V 5V @ 250µA 45nC @ 10V 2080pF @ 25V 10V ±30V
FQP8N90C
单位
$2.92
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RFQ
3,627
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220 QFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 171W (Tc) N-Channel - 900V 6.3A (Tc) 1.9 Ohm @ 3.15A, 10V 5V @ 250µA 45nC @ 10V 2080pF @ 25V 10V ±30V
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