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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SPA11N80C3XKSA2
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$1.51
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1,058
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 11A TO220 CoolMOS™ Not For New Designs Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Isolated Tab PG-TO220-3 34W (Tc) N-Channel - 800V 11A (Tc) 450 mOhm @ 7.1A, 10V 3.9V @ 680µA 85nC @ 10V 1600pF @ 100V 10V ±20V
SPA11N80C3XKSA1
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$2.68
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3,317
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP CoolMOS™ Not For New Designs Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack PG-TO220-FP 34W (Tc) N-Channel - 800V 11A (Tc) 450 mOhm @ 7.1A, 10V 3.9V @ 680µA 85nC @ 10V 1600pF @ 100V 10V ±20V
APT11N80KC3G
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2,236
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 CoolMOS™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 [K] 156W (Tc) N-Channel - 800V 11A (Tc) 450 mOhm @ 7.1A, 10V 3.9V @ 680µA 60nC @ 10V 1585pF @ 25V 10V ±20V
APT11N80BC3G
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$6.26
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 [B] 156W (Tc) N-Channel - 800V 11A (Tc) 450 mOhm @ 7.1A, 10V 3.9V @ 680µA 60nC @ 10V 1585pF @ 25V 10V ±20V
SPP11N80C3XKSA1
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$2.65
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RFQ
2,977
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB CoolMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 PG-TO220-3-1 156W (Tc) N-Channel - 800V 11A (Tc) 450 mOhm @ 7.1A, 10V 3.9V @ 680µA 85nC @ 10V 1600pF @ 100V 10V ±20V
SPW11N80C3FKSA1
单位
$3.15
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RFQ
2,537
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 CoolMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 PG-TO247-3 156W (Tc) N-Channel - 800V 11A (Tc) 450 mOhm @ 7.1A, 10V 3.9V @ 680µA 85nC @ 10V 1600pF @ 100V 10V ±20V
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