晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

已选择过滤 :

5 产品

图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	IRFH7084TRPBF		获得报价	PDF RFQ	1,331 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 100A PQFN	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-PowerTDFN	8-PQFN (5x6)	156W (Tc)	N-Channel	-	40V	100A (Tc)	1.25 mOhm @ 100A, 10V	3.9V @ 150µA	190nC @ 10V	6560pF @ 25V	10V	±20V
	IXTT440N04T4HV	单位 $8.38	获得报价	PDF RFQ	2,754 有现货	IXYS	40V/440A TRENCHT4 PWR MOSFET TO-	TrenchT4™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	TO-268	940W (Tc)	N-Channel	-	40V	440A (Tc)	1.25 mOhm @ 100A, 10V	4V @ 250µA	480nC @ 10V	26000pF @ 25V	10V	±15V
	IRFH7084TRPBF	单位 $2.39	获得报价	PDF RFQ	1,878 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 100A PQFN	HEXFET®	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-PowerTDFN	8-PQFN (5x6)	156W (Tc)	N-Channel	-	40V	100A (Tc)	1.25 mOhm @ 100A, 10V	3.9V @ 150µA	190nC @ 10V	6560pF @ 25V	10V	±20V
	IRFH7084TRPBF	单位 $1.01	获得报价	PDF RFQ	1,331 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 100A PQFN	HEXFET®	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-PowerTDFN	8-PQFN (5x6)	156W (Tc)	N-Channel	-	40V	100A (Tc)	1.25 mOhm @ 100A, 10V	3.9V @ 150µA	190nC @ 10V	6560pF @ 25V	10V	±20V
	IRL40B209	单位 $3.11	获得报价	PDF RFQ	1,461 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 195A	HEXFET®, StrongIRFET™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	375W (Tc)	N-Channel	-	40V	195A (Tc)	1.25 mOhm @ 100A, 10V	2.4V @ 250µA	270nC @ 4.5V	15140pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V

1 / 1 页

上一页下一页

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

商城介绍

联系我们关于我们

新手指南

注册协议发票须知

支付说明

售后服务

售后方案运费方案

全球服务热线

0755-83466209工作时间：9:00~18:00（周一至周六）

售前客服

©深圳市恒森鑫电子有限公司粤ICP备2022113175号-1