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功耗(最大) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
DMP26M7UFG-13
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2,377
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN PowerDI3333-8 2.3W (Ta) P-Channel 20V 18A (Ta), 40A (Tc) 6.7 mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 156nC @ 10V 5940pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±10V
RQ3C150BCTB
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743
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Rohm Semiconductor MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-HSMT (3.2x3) 20W (Tc) P-Channel 20V 30A (Tc) 6.7 mOhm @ 15A, 4.5V 1.2V @ 1mA 60nC @ 4.5V 4800pF @ 10V 4.5V ±8V
RQ3C150BCTB
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Rohm Semiconductor MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-HSMT (3.2x3) 20W (Tc) P-Channel 20V 30A (Tc) 6.7 mOhm @ 15A, 4.5V 1.2V @ 1mA 60nC @ 4.5V 4800pF @ 10V 4.5V ±8V
RQ3C150BCTB
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Rohm Semiconductor MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-HSMT (3.2x3) 20W (Tc) P-Channel 20V 30A (Tc) 6.7 mOhm @ 15A, 4.5V 1.2V @ 1mA 60nC @ 4.5V 4800pF @ 10V 4.5V ±8V
DMP26M7UFG-7
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN PowerDI3333-8 2.3W (Ta) P-Channel 20V 18A (Ta), 40A (Tc) 6.7 mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 156nC @ 10V 5940pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±10V
DMP26M7UFG-7
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN PowerDI3333-8 2.3W (Ta) P-Channel 20V 18A (Ta), 40A (Tc) 6.7 mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 156nC @ 10V 5940pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±10V
DMP26M7UFG-7
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN PowerDI3333-8 2.3W (Ta) P-Channel 20V 18A (Ta), 40A (Tc) 6.7 mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 156nC @ 10V 5940pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±10V
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