- 系列 :
- 包装/箱 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,216
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON | OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 3-WDSON | MG-WDSON-2, CanPAK M™ | 2.8W (Ta), 42W (Tc) | N-Channel | 80V | 13A (Ta), 50A (Tc) | 10.4 mOhm @ 10A, 10V | 3.5V @ 40µA | 31nC @ 10V | 2100pF @ 40V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,363
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-HSMT (3.2x3) | 2W (Ta) | N-Channel | 30V | 10A (Ta) | 10.4 mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 1mA | 22nC @ 10V | 1100pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,609
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-HSMT (3.2x3) | 2W (Ta) | N-Channel | 30V | 10A (Ta) | 10.4 mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 1mA | 22nC @ 10V | 1100pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,028
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-HSMT (3.2x3) | 2W (Ta) | N-Channel | 30V | 10A (Ta) | 10.4 mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 1mA | 22nC @ 10V | 1100pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1