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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRF5802TR
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RFQ
2,328
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Micro6™(TSOP-6) 2W (Ta) N-Channel - 150V 900mA (Ta) 1.2 Ohm @ 540mA, 10V 5.5V @ 250µA 6.8nC @ 10V 88pF @ 25V 10V ±30V
IRF5802TR
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918
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP HEXFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Micro6™(TSOP-6) 2W (Ta) N-Channel - 150V 900mA (Ta) 1.2 Ohm @ 540mA, 10V 5.5V @ 250µA 6.8nC @ 10V 88pF @ 25V 10V ±30V
IRF5802
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 900MA 6TSOP HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) - Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Micro6™(TSOP-6) 2W (Ta) N-Channel - 150V 900mA (Ta) 1.2 Ohm @ 540mA, 10V 5.5V @ 250µA 6.8nC @ 10V 88pF @ 25V 10V ±30V
IRF5802TRPBF
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Micro6™(TSOP-6) 2W (Ta) N-Channel - 150V 900mA (Ta) 1.2 Ohm @ 540mA, 10V 5.5V @ 250µA 6.8nC @ 10V 88pF @ 25V 10V ±30V
IRF5802TRPBF
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Micro6™(TSOP-6) 2W (Ta) N-Channel - 150V 900mA (Ta) 1.2 Ohm @ 540mA, 10V 5.5V @ 250µA 6.8nC @ 10V 88pF @ 25V 10V ±30V
IRF5802TRPBF
单位
$0.17
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RFQ
852
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Micro6™(TSOP-6) 2W (Ta) N-Channel - 150V 900mA (Ta) 1.2 Ohm @ 540mA, 10V 5.5V @ 250µA 6.8nC @ 10V 88pF @ 25V 10V ±30V
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