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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
CSD17381F4T
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RFQ
2,444
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Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402 FemtoFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN 3-PICOSTAR 500mW (Ta) N-Channel - 30V 3.1A (Ta) 109 mOhm @ 500mA, 8V 1.1V @ 250µA 1.35nC @ 4.5V 195pF @ 15V 1.8V, 4.5V 12V
CSD17381F4T
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2,057
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Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402 FemtoFET™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN 3-PICOSTAR 500mW (Ta) N-Channel - 30V 3.1A (Ta) 109 mOhm @ 500mA, 8V 1.1V @ 250µA 1.35nC @ 4.5V 195pF @ 15V 1.8V, 4.5V 12V
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RFQ
3,547
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Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402 FemtoFET™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN 3-PICOSTAR 500mW (Ta) N-Channel - 30V 3.1A (Ta) 109 mOhm @ 500mA, 8V 1.1V @ 250µA 1.35nC @ 4.5V 195pF @ 15V 1.8V, 4.5V 12V
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