晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
IXTH1N200P3	单位 $6.54	获得报价	PDF RFQ	2,627 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247 (IXTH)	125W (Tc)	N-Channel	2000V	1A (Tc)	40 Ohm @ 500mA, 10V	4V @ 250µA	23.5nC @ 10V	646pF @ 25V	10V	±20V
IXTH1N200P3HV	单位 $6.54	获得报价	PDF RFQ	3,209 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3 Variant	TO-247HV	125W (Tc)	N-Channel	2000V	1A (Tc)	40 Ohm @ 500mA, 10V	4V @ 250µA	23.5nC @ 10V	646pF @ 25V	10V	±20V
IXTA1N200P3HV	单位 $6.80	获得报价	PDF RFQ	898 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263 (IXTA)	125W (Tc)	N-Channel	2000V	1A (Tc)	40 Ohm @ 500mA, 10V	4V @ 250µA	23.5nC @ 10V	646pF @ 25V	10V	±20V