晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	IRF630STRR		获得报价	PDF RFQ	2,108 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	-	Obsolete	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263)	3W (Ta), 74W (Tc)	N-Channel	-	200V	9A (Tc)	400 mOhm @ 5.4A, 10V	4V @ 250µA	43nC @ 10V	800pF @ 25V	10V	±20V
	IRF630STRL		获得报价	PDF RFQ	3,190 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	-	Obsolete	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263)	3W (Ta), 74W (Tc)	N-Channel	-	200V	9A (Tc)	400 mOhm @ 5.4A, 10V	4V @ 250µA	43nC @ 10V	800pF @ 25V	10V	±20V
	IRF630L		获得报价	PDF RFQ	2,231 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A TO-262	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	I2PAK	-	N-Channel	-	200V	9A (Tc)	400 mOhm @ 5.4A, 10V	4V @ 250µA	43nC @ 10V	800pF @ 25V	10V	±20V
	IRC630PBF		获得报价	PDF RFQ	2,051 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-5	TO-220-5	74W (Tc)	N-Channel	Current Sensing	200V	9A (Tc)	400 mOhm @ 5.4A, 10V	4V @ 250µA	43nC @ 10V	800pF @ 25V	10V	±20V
	IRF630STRRPBF	单位 $0.89	获得报价	PDF RFQ	925 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	-	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263)	3W (Ta), 74W (Tc)	N-Channel	-	200V	9A (Tc)	400 mOhm @ 5.4A, 10V	4V @ 250µA	43nC @ 10V	800pF @ 25V	10V	±20V
	IRF630STRLPBF		获得报价	PDF RFQ	2,020 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	-	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263)	3W (Ta), 74W (Tc)	N-Channel	-	200V	9A (Tc)	400 mOhm @ 5.4A, 10V	4V @ 250µA	43nC @ 10V	800pF @ 25V	10V	±20V
	IRF630STRLPBF	单位 $1.80	获得报价	PDF RFQ	1,872 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	-	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263)	3W (Ta), 74W (Tc)	N-Channel	-	200V	9A (Tc)	400 mOhm @ 5.4A, 10V	4V @ 250µA	43nC @ 10V	800pF @ 25V	10V	±20V
	IRF630STRLPBF	单位 $0.89	获得报价	PDF RFQ	3,407 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	-	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263)	3W (Ta), 74W (Tc)	N-Channel	-	200V	9A (Tc)	400 mOhm @ 5.4A, 10V	4V @ 250µA	43nC @ 10V	800pF @ 25V	10V	±20V
	IRF630S		获得报价	PDF RFQ	3,864 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	-	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263)	3W (Ta), 74W (Tc)	N-Channel	-	200V	9A (Tc)	400 mOhm @ 5.4A, 10V	4V @ 250µA	43nC @ 10V	800pF @ 25V	10V	±20V
	IRF630PBF	单位 $1.26	获得报价	PDF RFQ	3,709 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	74W (Tc)	N-Channel	-	200V	9A (Tc)	400 mOhm @ 5.4A, 10V	4V @ 250µA	43nC @ 10V	800pF @ 25V	10V	±20V
	IRF630SPBF	单位 $1.75	获得报价	PDF RFQ	3,835 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263)	3W (Ta), 74W (Tc)	N-Channel	-	200V	9A (Tc)	400 mOhm @ 5.4A, 10V	4V @ 250µA	43nC @ 10V	800pF @ 25V	10V	±20V

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