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功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
BSZ084N08NS5ATMA1
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$0.48
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RFQ
3,027
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TSDSON-8-FL 63W (Tc) N-Channel - 80V 40A (Tc) 8.4 mOhm @ 20A, 10V 3.8V @ 31µA 25nC @ 10V 1820pF @ 40V 6V, 10V ±20V
IPZ40N04S58R4ATMA1
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RFQ
2,168
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 8TDSON Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TSDSON-8-32 34W (Tc) N-Channel - 40V 40A (Tc) 8.4 mOhm @ 20A, 10V 3.4V @ 10µA 13.7nC @ 10V 771pF @ 25V 7V, 10V ±20V
IPZ40N04S58R4ATMA1
单位
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RFQ
2,095
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 8TDSON Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TSDSON-8-32 34W (Tc) N-Channel - 40V 40A (Tc) 8.4 mOhm @ 20A, 10V 3.4V @ 10µA 13.7nC @ 10V 771pF @ 25V 7V, 10V ±20V
IPZ40N04S58R4ATMA1
单位
$0.28
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RFQ
3,583
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 8TDSON Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TSDSON-8-32 34W (Tc) N-Channel - 40V 40A (Tc) 8.4 mOhm @ 20A, 10V 3.4V @ 10µA 13.7nC @ 10V 771pF @ 25V 7V, 10V ±20V
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