- 零件状态 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
5 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,250
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247 | GigaMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | PLUS247™-3 | 1150W (Tc) | N-Channel | - | 170V | 210A (Tc) | 7.5 mOhm @ 60A, 10V | 5V @ 4mA | 285nC @ 10V | 18800pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,236
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 170V 210A TO-264 | GigaMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-264-3, TO-264AA | TO-264AA (IXFK) | 1150W (Tc) | N-Channel | - | 170V | 210A (Tc) | 7.5 mOhm @ 60A, 10V | 5V @ 4mA | 285nC @ 10V | 18800pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,475
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 | GigaMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227B | 1090W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 220A (Tc) | 7.5 mOhm @ 60A, 10V | 5V @ 8mA | 378nC @ 10V | 28000pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,536
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 200V 230A TO-264 | GigaMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | - | Through Hole | TO-264-3, TO-264AA | TO-264AA (IXFK) | 1670W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 230A (Tc) | 7.5 mOhm @ 60A, 10V | 5V @ 8mA | 378nC @ 10V | 28000pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,768
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247 | GigaMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | - | Through Hole | TO-247-3 | PLUS247™-3 | 1670W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 230A (Tc) | 7.5 mOhm @ 60A, 10V | 5V @ 8mA | 378nC @ 10V | 28000pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1