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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,172
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP | U-MOSVI | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-UFBGA, WLCSP | 1.2W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 5A (Ta) | 31 mOhm @ 3A, 8.5V | 1.2V @ 1mA, 3V | 9.8nC @ 4.5V | 870pF @ 10V | 2.5V, 8.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
3,770
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP | U-MOSVI | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-UFBGA, WLCSP | 1.2W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 5A (Ta) | 31 mOhm @ 3A, 8.5V | 1.2V @ 1mA, 3V | 9.8nC @ 4.5V | 870pF @ 10V | 2.5V, 8.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
3,460
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP | U-MOSVI | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-UFBGA, WLCSP | 1.2W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 5A (Ta) | 31 mOhm @ 3A, 8.5V | 1.2V @ 1mA, 3V | 9.8nC @ 4.5V | 870pF @ 10V | 2.5V, 8.5V | ±12V |
粤ICP备2022113175号-1