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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
FQI3P50TU
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RFQ
3,593
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 500V 2.7A I2PAK QFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA I2PAK (TO-262) 3.13W (Ta), 85W (Tc) P-Channel - 500V 2.7A (Tc) 4.9 Ohm @ 1.35A, 10V 5V @ 250µA 23nC @ 10V 660pF @ 25V 10V ±30V
FQB3P50TM
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RFQ
2,799
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAK QFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 3.13W (Ta), 85W (Tc) P-Channel - 500V 2.7A (Tc) 4.9 Ohm @ 1.35A, 10V 5V @ 250µA 23nC @ 10V 660pF @ 25V 10V ±30V
FQP3P50
单位
$2.53
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RFQ
2,619
有现货
ON Semiconductor MOSFET P-CH 500V 2.7A TO-220 QFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 85W (Tc) P-Channel - 500V 2.7A (Tc) 4.9 Ohm @ 1.35A, 10V 5V @ 250µA 23nC @ 10V 660pF @ 25V 10V ±30V
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