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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPS80R750P7AKMA1
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3,590
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3 CoolMOS™ P7 Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Stub Leads, IPak PG-TO251-3 51W (Tc) N-Channel - 800V 7A (Tc) 750 mOhm @ 2.7A, 10V 3.5V @ 140µA 17nC @ 10V 460pF @ 500V 10V ±20V
IPN80R750P7ATMA1
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3,217
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Infineon Technologies COOLMOS P7 800V SOT-223 CoolMOS™ P7 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-223-3 PG-SOT223 7.2W (Tc) N-Channel - 800V 7A (Tc) 750 mOhm @ 2.7A, 10V 3.5V @ 140µA 17nC @ 10V 460pF @ 500V 10V ±20V
IPN80R750P7ATMA1
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3,633
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Infineon Technologies COOLMOS P7 800V SOT-223 CoolMOS™ P7 Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-223-3 PG-SOT223 7.2W (Tc) N-Channel - 800V 7A (Tc) 750 mOhm @ 2.7A, 10V 3.5V @ 140µA 17nC @ 10V 460pF @ 500V 10V ±20V
IPN80R750P7ATMA1
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3,054
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Infineon Technologies COOLMOS P7 800V SOT-223 CoolMOS™ P7 Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-223-3 PG-SOT223 7.2W (Tc) N-Channel - 800V 7A (Tc) 750 mOhm @ 2.7A, 10V 3.5V @ 140µA 17nC @ 10V 460pF @ 500V 10V ±20V
IPA80R750P7XKSA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220 CoolMOS™ P7 Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack PG-TO220 Full Pack 27W (Tc) N-Channel - 800V 7A (Tc) 750 mOhm @ 2.7A, 10V 3.5V @ 140µA 17nC @ 10V 460pF @ 500V 10V ±20V
IPP80R750P7XKSA1
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1,341
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3 CoolMOS™ P7 Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 PG-TO220-3 51W (Tc) N-Channel - 800V 7A (Tc) 750 mOhm @ 2.7A, 10V 3.5V @ 140µA 17nC @ 10V 460pF @ 500V 10V ±20V
IPU80R750P7AKMA1
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3,208
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3 CoolMOS™ P7 Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA PG-TO251-3 51W (Tc) N-Channel - 800V 7A (Tc) 750 mOhm @ 2.7A, 10V 3.5V @ 140µA 17nC @ 10V 460pF @ 500V 10V ±20V
IPD80R750P7ATMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3 CoolMOS™ P7 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 51W (Tc) N-Channel - 800V 7A (Tc) 750 mOhm @ 2.7A, 10V 3.5V @ 140µA 17nC @ 10V 460pF @ 500V 10V ±20V
IPD80R750P7ATMA1
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1,294
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3 CoolMOS™ P7 Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 51W (Tc) N-Channel - 800V 7A (Tc) 750 mOhm @ 2.7A, 10V 3.5V @ 140µA 17nC @ 10V 460pF @ 500V 10V ±20V
IPD80R750P7ATMA1
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2,735
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3 CoolMOS™ P7 Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 51W (Tc) N-Channel - 800V 7A (Tc) 750 mOhm @ 2.7A, 10V 3.5V @ 140µA 17nC @ 10V 460pF @ 500V 10V ±20V
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