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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
BSZ12DN20NS3GATMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TSDSON-8 50W (Tc) N-Channel - 200V 11.3A (Tc) 125 mOhm @ 5.7A, 10V 4V @ 25µA 8.7nC @ 10V 680pF @ 100V 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TSDSON-8 50W (Tc) N-Channel - 200V 11.3A (Tc) 125 mOhm @ 5.7A, 10V 4V @ 25µA 8.7nC @ 10V 680pF @ 100V 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TSDSON-8 50W (Tc) N-Channel - 200V 11.3A (Tc) 125 mOhm @ 5.7A, 10V 4V @ 25µA 8.7nC @ 10V 680pF @ 100V 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 50W (Tc) N-Channel - 200V 11.3A (Tc) 125 mOhm @ 5.7A, 10V 4V @ 25µA 8.7nC @ 10V 680pF @ 100V 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 50W (Tc) N-Channel - 200V 11.3A (Tc) 125 mOhm @ 5.7A, 10V 4V @ 25µA 8.7nC @ 10V 680pF @ 100V 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 50W (Tc) N-Channel - 200V 11.3A (Tc) 125 mOhm @ 5.7A, 10V 4V @ 25µA 8.7nC @ 10V 680pF @ 100V 10V ±20V
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