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25°C时的电流-连续漏极(Id) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPB04N03LA G
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A TO-263 OptiMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 107W (Tc) N-Channel - 25V 80A (Tc) 3.9 mOhm @ 55A, 10V 2V @ 60µA 32nC @ 5V 3877pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A TO-263 OptiMOS™ Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 107W (Tc) N-Channel - 25V 80A (Tc) 3.9 mOhm @ 55A, 10V 2V @ 60µA 32nC @ 5V 3877pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A TO-263 OptiMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 107W (Tc) N-Channel - 25V 80A (Tc) 3.9 mOhm @ 55A, 10V 2V @ 60µA 32nC @ 5V 3877pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK OptiMOS™ Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 107W (Tc) N-Channel - 25V 80A (Tc) 3.9 mOhm @ 55A, 10V 2V @ 60µA 32nC @ 5V 3877pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK OptiMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 107W (Tc) N-Channel - 25V 80A (Tc) 3.9 mOhm @ 55A, 10V 2V @ 60µA 32nC @ 5V 3877pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK OptiMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 107W (Tc) N-Channel - 25V 80A (Tc) 3.9 mOhm @ 55A, 10V 2V @ 60µA 32nC @ 5V 3877pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK OptiMOS™ Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 107W (Tc) N-Channel - 25V 80A (Tc) 3.9 mOhm @ 55A, 10V 2V @ 60µA 32nC @ 5V 3877pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK OptiMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 107W (Tc) N-Channel - 25V 80A (Tc) 3.9 mOhm @ 55A, 10V 2V @ 60µA 32nC @ 5V 3877pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
STH150N10F7-2
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2 DeepGATE™, STripFET™ VII Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB H2Pak-2 250W (Tc) N-Channel - 100V 110A (Tc) 3.9 mOhm @ 55A, 10V 4.5V @ 250µA 117nC @ 10V 8115pF @ 50V 10V ±20V
STH150N10F7-2
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2 DeepGATE™, STripFET™ VII Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB H2Pak-2 250W (Tc) N-Channel - 100V 110A (Tc) 3.9 mOhm @ 55A, 10V 4.5V @ 250µA 117nC @ 10V 8115pF @ 50V 10V ±20V
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2 DeepGATE™, STripFET™ VII Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB H2Pak-2 250W (Tc) N-Channel - 100V 110A (Tc) 3.9 mOhm @ 55A, 10V 4.5V @ 250µA 117nC @ 10V 8115pF @ 50V 10V ±20V
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