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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI7110DN-T1-GE3
单位
$0.97
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RFQ
945
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 1.5W (Ta) N-Channel 20V 13.5A (Ta) 5.3 mOhm @ 21.1A, 10V 2.5V @ 250µA 21nC @ 4.5V - 4.5V, 10V ±20V
SI7110DN-T1-E3
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RFQ
3,613
有现货
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 1.5W (Ta) N-Channel 20V 13.5A (Ta) 5.3 mOhm @ 21.1A, 10V 2.5V @ 250µA 21nC @ 4.5V - 4.5V, 10V ±20V
SI7110DN-T1-E3
单位
$1.62
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RFQ
2,020
有现货
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 1.5W (Ta) N-Channel 20V 13.5A (Ta) 5.3 mOhm @ 21.1A, 10V 2.5V @ 250µA 21nC @ 4.5V - 4.5V, 10V ±20V
SI7110DN-T1-E3
单位
$0.71
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RFQ
1,841
有现货
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 1.5W (Ta) N-Channel 20V 13.5A (Ta) 5.3 mOhm @ 21.1A, 10V 2.5V @ 250µA 21nC @ 4.5V - 4.5V, 10V ±20V
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