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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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3,356
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Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 100A 8SON NexFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-VSONP (5x6) 3.2W (Ta), 116W (Tc) N-Channel - 60V 100A (Ta) 6.8 mOhm @ 18A, 10V 2.4V @ 250µA 20nC @ 10V 1500pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
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$1.86
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3,714
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Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 100A 8SON NexFET™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-VSONP (5x6) 3.2W (Ta), 116W (Tc) N-Channel - 60V 100A (Ta) 6.8 mOhm @ 18A, 10V 2.4V @ 250µA 20nC @ 10V 1500pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
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Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 100A 8SON NexFET™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-VSONP (5x6) 3.2W (Ta), 116W (Tc) N-Channel - 60V 100A (Ta) 6.8 mOhm @ 18A, 10V 2.4V @ 250µA 20nC @ 10V 1500pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
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Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 100A 8SON NexFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-VSONP (5x6) 3.2W (Ta), 116W (Tc) N-Channel - 60V 100A (Ta) 6.8 mOhm @ 18A, 10V 2.4V @ 250µA 20nC @ 10V 1500pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
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Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 100A 8SON NexFET™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-VSONP (5x6) 3.2W (Ta), 116W (Tc) N-Channel - 60V 100A (Ta) 6.8 mOhm @ 18A, 10V 2.4V @ 250µA 20nC @ 10V 1500pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
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Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 100A 8SON NexFET™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-VSONP (5x6) 3.2W (Ta), 116W (Tc) N-Channel - 60V 100A (Ta) 6.8 mOhm @ 18A, 10V 2.4V @ 250µA 20nC @ 10V 1500pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
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