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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	SSM3J36MFV,L3F		获得报价	PDF RFQ	1,217 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM	U-MOSIII	Discontinued at Digi-Key	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	SOT-723	VESM	150mW (Ta)	P-Channel	-	20V	330mA (Ta)	1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V	-	1.2nC @ 4V	43pF @ 10V	1.5V, 4.5V	±8V
	SSM3J36MFV,L3F		获得报价	PDF RFQ	3,982 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM	U-MOSIII	Discontinued at Digi-Key	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	SOT-723	VESM	150mW (Ta)	P-Channel	-	20V	330mA (Ta)	1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V	-	1.2nC @ 4V	43pF @ 10V	1.5V, 4.5V	±8V
	SSM3J36FS,LF		获得报价	PDF RFQ	3,777 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 0.33A SSM	U-MOSIII	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	SC-75, SOT-416	SSM	150mW (Ta)	P-Channel	-	20V	330mA (Ta)	1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V	1V @ 1mA	1.2nC @ 4V	43pF @ 10V	1.5V, 4.5V	±8V
	SSM3J36FS,LF	单位 $0.30	获得报价	PDF RFQ	1,040 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 0.33A SSM	U-MOSIII	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	SC-75, SOT-416	SSM	150mW (Ta)	P-Channel	-	20V	330mA (Ta)	1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V	1V @ 1mA	1.2nC @ 4V	43pF @ 10V	1.5V, 4.5V	±8V
	SSM3J36FS,LF	单位 $0.04	获得报价	PDF RFQ	2,688 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 0.33A SSM	U-MOSIII	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	SC-75, SOT-416	SSM	150mW (Ta)	P-Channel	-	20V	330mA (Ta)	1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V	1V @ 1mA	1.2nC @ 4V	43pF @ 10V	1.5V, 4.5V	±8V

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