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供应商设备包 :
功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
Vgs(最大值) :
4 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRFSL11N50A
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RFQ
2,666
有现货
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 11A TO-262 - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 190W (Tc) N-Channel 500V 11A (Tc) 550 mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 51nC @ 10V 1426pF @ 25V 10V ±30V
IRFP340
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RFQ
3,255
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 11A TO-247AC - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247-3 150W (Tc) N-Channel 400V 11A (Tc) 550 mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 62nC @ 10V 1400pF @ 25V 10V ±20V
IRFP340PBF
单位
$5.39
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RFQ
2,188
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 11A TO-247AC - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247-3 150W (Tc) N-Channel 400V 11A (Tc) 550 mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 62nC @ 10V 1400pF @ 25V 10V ±20V
IRFSL11N50APBF
单位
$3.76
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RFQ
1,247
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 11A TO-262 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 190W (Tc) N-Channel 500V 11A (Tc) 550 mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 51nC @ 10V 1426pF @ 25V 10V ±30V
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