- 供应商设备包 :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,987
有现货
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA | NexFET™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-UFBGA, DSBGA | 4-DSBGA (1x1) | 1.8W (Ta) | N-Channel | - | 12V | 1.6A (Ta) | 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V | 1.3V @ 250µA | 7.8nC @ 4.5V | 862pF @ 6V | 2.5V, 4.5V | ±10V | |||
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获得报价 |
2,708
有现货
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A | NexFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-UFBGA, DSBGA | 4-DSBGA | 1.8W (Ta) | N-Channel | - | 12V | 1.6A (Ta) | 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V | 1.3V @ 250µA | 7.8nC @ 4.5V | 862pF @ 6V | 2.5V, 4.5V | ±10V | |||
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获得报价 |
1,157
有现货
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A | NexFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-UFBGA, DSBGA | 4-DSBGA | 1.8W (Ta) | N-Channel | - | 12V | 1.6A (Ta) | 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V | 1.3V @ 250µA | 7.8nC @ 4.5V | 862pF @ 6V | 2.5V, 4.5V | ±10V | |||
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获得报价 |
3,430
有现货
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A | NexFET™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-UFBGA, DSBGA | 4-DSBGA | 1.8W (Ta) | N-Channel | - | 12V | 1.6A (Ta) | 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V | 1.3V @ 250µA | 7.8nC @ 4.5V | 862pF @ 6V | 2.5V, 4.5V | ±10V |