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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
ZXM62N03E6TA
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6 - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) - Surface Mount SOT-23-6 SOT-23-6 1.1W (Ta) N-Channel 30V 3.2A (Ta) 110 mOhm @ 2.2A, 10V 1V @ 250µA 9.6nC @ 10V 380pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
ZXM62N03GTA
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 2W (Ta) N-Channel 30V 3.4A (Ta), 4.7A (Tc) 110 mOhm @ 2.2A, 10V 1V @ 250µA 9.6nC @ 10V 380pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
ZXM62N03GTA
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 2W (Ta) N-Channel 30V 3.4A (Ta), 4.7A (Tc) 110 mOhm @ 2.2A, 10V 1V @ 250µA 9.6nC @ 10V 380pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
ZXM62N03GTA
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 2W (Ta) N-Channel 30V 3.4A (Ta), 4.7A (Tc) 110 mOhm @ 2.2A, 10V 1V @ 250µA 9.6nC @ 10V 380pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
SI2321-TP
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Micro Commercial Co P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 350mW (Ta) P-Channel 20V 2.9A (Ta) 110 mOhm @ 2.2A, 10V 900mV @ 250µA 13nC @ 4.5V 715pF @ 6V 4.5V ±12V
SI2321-TP
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Micro Commercial Co P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 350mW (Ta) P-Channel 20V 2.9A (Ta) 110 mOhm @ 2.2A, 10V 900mV @ 250µA 13nC @ 4.5V 715pF @ 6V 4.5V ±12V
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Micro Commercial Co P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 350mW (Ta) P-Channel 20V 2.9A (Ta) 110 mOhm @ 2.2A, 10V 900mV @ 250µA 13nC @ 4.5V 715pF @ 6V 4.5V ±12V
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