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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds
GA20JT12-263
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$37.91
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RFQ
3,749
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GeneSiC Semiconductor TRANS SJT 1200V 45A - Active Tube SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA D2PAK (7-Lead) 282W (Tc) 1200V 45A (Tc) 60 mOhm @ 20A 3091pF @ 800V
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