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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
STS10N3LH5
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RFQ
658
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC STripFET™ V Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Tc) N-Channel - 30V 10A (Tc) 21 mOhm @ 5A, 10V 1V @ 250µA 4.6nC @ 5V 475pF @ 25V 4.5V, 10V ±22V
STS10N3LH5
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RFQ
2,917
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC STripFET™ V Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Tc) N-Channel - 30V 10A (Tc) 21 mOhm @ 5A, 10V 1V @ 250µA 4.6nC @ 5V 475pF @ 25V 4.5V, 10V ±22V
STS10N3LH5
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RFQ
1,420
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC STripFET™ V Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Tc) N-Channel - 30V 10A (Tc) 21 mOhm @ 5A, 10V 1V @ 250µA 4.6nC @ 5V 475pF @ 25V 4.5V, 10V ±22V
SIA483DJ-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 Single 3.5W (Ta), 19W (Tc) P-Channel - 30V 12A (Tc) 21 mOhm @ 5A, 10V 2.2V @ 250µA 45nC @ 10V 1550pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SIA483DJ-T1-GE3
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$0.55
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RFQ
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 Single 3.5W (Ta), 19W (Tc) P-Channel - 30V 12A (Tc) 21 mOhm @ 5A, 10V 2.2V @ 250µA 45nC @ 10V 1550pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SIA483DJ-T1-GE3
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RFQ
1,369
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 Single 3.5W (Ta), 19W (Tc) P-Channel - 30V 12A (Tc) 21 mOhm @ 5A, 10V 2.2V @ 250µA 45nC @ 10V 1550pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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