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功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
TSM150P04LCS RLG
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2,404
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOP 12.5W (Tc) P-Channel 40V 22A (Tc) 15 mOhm @ 9A, 10V 2.5V @ 250µA 48nC @ 10V 2783pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
TSM150P04LCS RLG
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOP 12.5W (Tc) P-Channel 40V 22A (Tc) 15 mOhm @ 9A, 10V 2.5V @ 250µA 48nC @ 10V 2783pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
TSM150P04LCS RLG
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOP 12.5W (Tc) P-Channel 40V 22A (Tc) 15 mOhm @ 9A, 10V 2.5V @ 250µA 48nC @ 10V 2783pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
RSS090N03FU6TB
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Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC - Not For New Designs Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOP 2W (Ta) N-Channel 30V 9A (Ta) 15 mOhm @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 15nC @ 5V 810pF @ 10V 4V, 10V 20V
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Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC - Not For New Designs Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOP 2W (Ta) N-Channel 30V 9A (Ta) 15 mOhm @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 15nC @ 5V 810pF @ 10V 4V, 10V 20V
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Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC - Not For New Designs Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOP 2W (Ta) N-Channel 30V 9A (Ta) 15 mOhm @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 15nC @ 5V 810pF @ 10V 4V, 10V 20V
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