- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,035
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH | - | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263HV | 60W (Tc) | N-Channel | Depletion Mode | 1000V | 800mA (Tj) | 21 Ohm @ 400mA, 0V | 4V @ 25µA | 14.6nC @ 5V | 325pF @ 25V | 0V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,547
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 60W (Tc) | N-Channel | Depletion Mode | 1000V | 800mA (Tc) | 21 Ohm @ 400mA, 0V | - | 14.6nC @ 5V | 325pF @ 25V | - | ±20V | ||
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获得报价 |
2,192
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (IXTA) | 60W (Tc) | N-Channel | Depletion Mode | 1000V | 800mA (Tc) | 21 Ohm @ 400mA, 0V | - | 14.6nC @ 5V | 325pF @ 25V | - | ±20V | ||
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获得报价 |
2,979
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 60W (Tc) | N-Channel | Depletion Mode | 1000V | 800mA (Tc) | 21 Ohm @ 400mA, 0V | - | 14.6nC @ 5V | 325pF @ 25V | - | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1