晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	IRF3415STRRPBF		获得报价	PDF RFQ	3,677 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK	HEXFET®	Obsolete	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	3.8W (Ta), 200W (Tc)	N-Channel	-	150V	43A (Tc)	42 mOhm @ 22A, 10V	4V @ 250µA	200nC @ 10V	2400pF @ 25V	10V	±20V
	IRF3415STRR		获得报价	PDF RFQ	2,770 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK	HEXFET®	Obsolete	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	3.8W (Ta), 200W (Tc)	N-Channel	-	150V	43A (Tc)	42 mOhm @ 22A, 10V	4V @ 250µA	200nC @ 10V	2400pF @ 25V	10V	±20V
	IRF3415L		获得报价	PDF RFQ	3,326 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 43A TO-262	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-262	3.8W (Ta), 200W (Tc)	N-Channel	-	150V	43A (Tc)	42 mOhm @ 22A, 10V	4V @ 250µA	200nC @ 10V	2400pF @ 25V	10V	±20V
	IRF3415S		获得报价	PDF RFQ	3,123 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	3.8W (Ta), 200W (Tc)	N-Channel	-	150V	43A (Tc)	42 mOhm @ 22A, 10V	4V @ 250µA	200nC @ 10V	2400pF @ 25V	10V	±20V
	AUIRF3415	单位 $1.49	获得报价	PDF RFQ	3,558 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	200W (Tc)	N-Channel	-	150V	43A (Tc)	42 mOhm @ 22A, 10V	4V @ 250µA	200nC @ 10V	2400pF @ 25V	10V	±20V
	IRF3415SPBF	单位 $1.13	获得报价	PDF RFQ	748 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK	HEXFET®	Not For New Designs	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	3.8W (Ta), 200W (Tc)	N-Channel	-	150V	43A (Tc)	42 mOhm @ 22A, 10V	4V @ 250µA	200nC @ 10V	2400pF @ 25V	10V	±20V
	IRF3415STRLPBF		获得报价	PDF RFQ	3,073 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	3.8W (Ta), 200W (Tc)	N-Channel	-	150V	43A (Tc)	42 mOhm @ 22A, 10V	4V @ 250µA	200nC @ 10V	2400pF @ 25V	10V	±20V
	IRF3415STRLPBF	单位 $2.37	获得报价	PDF RFQ	1,932 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK	HEXFET®	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	3.8W (Ta), 200W (Tc)	N-Channel	-	150V	43A (Tc)	42 mOhm @ 22A, 10V	4V @ 250µA	200nC @ 10V	2400pF @ 25V	10V	±20V
	IRF3415STRLPBF	单位 $1.17	获得报价	PDF RFQ	1,625 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK	HEXFET®	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	3.8W (Ta), 200W (Tc)	N-Channel	-	150V	43A (Tc)	42 mOhm @ 22A, 10V	4V @ 250µA	200nC @ 10V	2400pF @ 25V	10V	±20V
	IRFP3415PBF	单位 $3.16	获得报价	PDF RFQ	3,460 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 43A TO-247AC	HEXFET®	Active	Bulk	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247AC	200W (Tc)	N-Channel	-	150V	43A (Tc)	42 mOhm @ 22A, 10V	4V @ 250µA	200nC @ 10V	2400pF @ 25V	10V	±20V
	IRF3415PBF	单位 $1.70	获得报价	PDF RFQ	3,203 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	200W (Tc)	N-Channel	-	150V	43A (Tc)	42 mOhm @ 22A, 10V	4V @ 250µA	200nC @ 10V	2400pF @ 25V	10V	±20V

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