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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NTMSD6N303R2G
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RFQ
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC FETKY™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC 2W (Ta) N-Channel Schottky Diode (Isolated) 30V 6A (Ta) 32 mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 30nC @ 10V 950pF @ 24V 4.5V, 10V ±20V
NTMSD6N303R2
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC FETKY™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC 2W (Ta) N-Channel Schottky Diode (Isolated) 30V 6A (Ta) 32 mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 30nC @ 10V 950pF @ 24V 4.5V, 10V ±20V
NVMSD6N303R2G
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC - N-Channel Schottky Diode (Isolated) 30V 6A (Ta) 32 mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 30nC @ 10V 950pF @ 24V - -
NTMSD6N303R2SG
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC FETKY™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) - Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC 2W (Ta) N-Channel Schottky Diode (Isolated) 30V 6A (Ta) 32 mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 30nC @ 10V 950pF @ 24V 4.5V, 10V ±20V
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